FGD5T120SH
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGD5T120SH |
| PNEDA Teilenummer | FGD5T120SH |
| Beschreibung | IGBT 1200V 5A FS3 DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.182 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGD5T120SH Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGD5T120SH |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGD5T120SH Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 12.5A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 69W |
| Schaltenergie | 247µJ (on), 94µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 6.7nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 4.8ns/24.8ns |
| Testbedingung | 600V, 5A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/44ns Testbedingung 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 333W Schaltenergie 340µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/170ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A Leistung - max 115W Schaltenergie 870µJ (on), 260µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 119nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/92ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
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