FGH40N60SFTU
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| Teilenummer | FGH40N60SFTU |
| PNEDA Teilenummer | FGH40N60SFTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 290W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH40N60SFTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH40N60SFTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH40N60SFTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | 1.13mJ (on), 310µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 120nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/115ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 35A Leistung - max 308W Schaltenergie 220µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 160nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/110ns Testbedingung 390V, 22A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/78ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/75ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 59A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.77V @ 15V, 24A Leistung - max 246W Schaltenergie 532µJ (on), 311µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 77nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/90ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 102ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.85V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 2.4mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 36ns/251ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 84ns Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
