FGH50N3
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| Teilenummer | FGH50N3 |
| PNEDA Teilenummer | FGH50N3 |
| Beschreibung | IGBT 300V 75A 463W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.776 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGH50N3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH50N3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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FGH50N3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 75A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 463W |
| Schaltenergie | 130µJ (on), 92µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 180nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/135ns |
| Testbedingung | 180V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.13mJ (on), 310µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/115ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30A Leistung - max 370W Schaltenergie 350µJ (on), 825µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/185ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 420A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 85A Leistung - max 333W Schaltenergie 200µJ (on), 390µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 136nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/100ns Testbedingung 200V, 42.5A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A Leistung - max 100W Schaltenergie 4.7mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/350ns Testbedingung 720V, 50A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 278W Schaltenergie 365µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/240ns Testbedingung 390V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket MAX247™ |
