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FGH50T65SQD-F155

FGH50T65SQD-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FGH50T65SQD-F155
PNEDA Teilenummer FGH50T65SQD-F155
Beschreibung 650V FS4 TRENCH IGBT
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 21.108
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FGH50T65SQD-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH50T65SQD-F155
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH50T65SQD-F155, FGH50T65SQD-F155 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 541,47 KB)
PDFFGH50T65SQD-F155 Datenblatt Cover
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FGH50T65SQD-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max268W
Schaltenergie180µJ (on), 45µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge99nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/105ns
Testbedingung400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)31ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

240µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Lieferantengerätepaket

TO-262

STGF20NB60S

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

70A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

840µJ (on), 7.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

83nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

92ns/1.1µs

Testbedingung

480V, 20A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

FGH60N60UFDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

1.81mJ (on), 810µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/130ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

47ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGH30N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/40ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

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