Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FGH60N6S2

FGH60N6S2

Nur als Referenz

Teilenummer FGH60N6S2
PNEDA Teilenummer FGH60N6S2
Beschreibung IGBT 600V 75A 625W TO247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.714
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH60N6S2 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH60N6S2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH60N6S2, FGH60N6S2 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 170,67 KB)
PDFFGH60N6S2 Datenblatt Cover
FGH60N6S2 Datenblatt Seite 2 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 3 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 4 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 5 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 6 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 7 FGH60N6S2 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FGH60N6S2 Datasheet
  • where to find FGH60N6S2
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FGH60N6S2
  • FGH60N6S2 PDF Datasheet
  • FGH60N6S2 Stock

  • FGH60N6S2 Pinout
  • Datasheet FGH60N6S2
  • FGH60N6S2 Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FGH60N6S2 Price
  • FGH60N6S2 Distributor

FGH60N6S2 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)320A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 40A
Leistung - max625W
Schaltenergie400µJ (on), 310µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/70ns
Testbedingung390V, 40A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGT24N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGPF70N30TDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

49.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

125nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

APT50GR120B2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

117A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

445nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/237ns

Testbedingung

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

AUIRGP4063D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRGS14C40LPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Kürzlich verkauft

M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512

SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

BT137S-600D,118

BT137S-600D,118

WeEn Semiconductors

TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

RB496EATR

RB496EATR

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN