FGH60T65SHD-F155
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| Teilenummer | FGH60T65SHD-F155 |
| PNEDA Teilenummer | FGH60T65SHD-F155 |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 349W TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 24 - Mai 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FGH60T65SHD-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH60T65SHD-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH60T65SHD-F155, FGH60T65SHD-F155 Datenblatt
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FGH60T65SHD-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 180A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 349W |
| Schaltenergie | 1.69mJ (on), 630µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 102nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/87ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34.6ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 255W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 132nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/245ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 27ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 121A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 202A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 520W Schaltenergie 715µJ (on), 607µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 198nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/133ns Testbedingung 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 600A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 100A Leistung - max 780W Schaltenergie 2.7mJ (on), 6.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 450nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/295ns Testbedingung 480V, 100A, 1.5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
