FGH75T65SQDT-F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH75T65SQDT-F155 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGH75T65SQDT-F155 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | 650V 75A FS4 TRENCH IGBT | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 7.307 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDT-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75T65SQDT-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH75T65SQDT-F155, FGH75T65SQDT-F155 Datenblatt
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FGH75T65SQDT-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 300µJ (on), 70µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/120ns |
| Testbedingung | 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 76ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 700µJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 83ns/170ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 72ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 42A Leistung - max 240W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 72ns/445ns Testbedingung 1500V, 42A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-4, Isolated Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 32W Schaltenergie 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/90ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 365V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 3.7V, 10A Leistung - max 165W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
