FGL35N120FTDTU
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGL35N120FTDTU | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGL35N120FTDTU | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 70A 368W TO264 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 461 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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FGL35N120FTDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGL35N120FTDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGL35N120FTDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 105A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 35A |
| Leistung - max | 368W |
| Schaltenergie | 2.5mJ (on), 1.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 34ns/172ns |
| Testbedingung | 600V, 35A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 337ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-264-3 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 6.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/400ns Testbedingung 800V, 20A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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