FGPF30N30TTU
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| Teilenummer | FGPF30N30TTU |
| PNEDA Teilenummer | FGPF30N30TTU |
| Beschreibung | IGBT 300V 44.6W TO220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.668 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGPF30N30TTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGPF30N30TTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGPF30N30TTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 44.6W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/130ns |
| Testbedingung | 200V, 20A, 20Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A Leistung - max 463W Schaltenergie 280µJ (on), 240µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/150ns Testbedingung 390V, 30A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 5.5V @ 15V, 75A Leistung - max 114W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 (3 Leads) Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/135ns Testbedingung 720V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max 24W Schaltenergie 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 14.2ns/72ns Testbedingung 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 22ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 16A Leistung - max 250W Schaltenergie 2.97mJ (on), 790µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/336ns Testbedingung 850V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
