FGY60T120SQDN
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| Teilenummer | FGY60T120SQDN |
| PNEDA Teilenummer | FGY60T120SQDN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 60A UFS |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.512 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGY60T120SQDN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGY60T120SQDN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGY60T120SQDN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 120A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 517W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 311nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 52ns/296ns |
| Testbedingung | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 20A Leistung - max 178.5W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/65ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
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