FIO50-12BD
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| Teilenummer | FIO50-12BD |
| PNEDA Teilenummer | FIO50-12BD |
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.016 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FIO50-12BD Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FIO50-12BD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FIO50-12BD Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 4.6mJ (on), 2.2mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 150nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 600V, 30A, 39Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | i4-Pac™-5 |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS i4-PAC™ |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 25A Leistung - max 521W Schaltenergie 434µJ (on), 466µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/122ns Testbedingung 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
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