Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJ4B01100L1

FJ4B01100L1

Nur als Referenz

Teilenummer FJ4B01100L1
PNEDA Teilenummer FJ4B01100L1
Beschreibung CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Hersteller Panasonic Electronic Components
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 22.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FJ4B01100L1 Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFJ4B01100L1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FJ4B01100L1, FJ4B01100L1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 308,16 KB)
PDFFJ4B01100L1 Datenblatt Cover
FJ4B01100L1 Datenblatt Seite 2 FJ4B01100L1 Datenblatt Seite 3 FJ4B01100L1 Datenblatt Seite 4 FJ4B01100L1 Datenblatt Seite 5 FJ4B01100L1 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FJ4B01100L1 Datasheet
  • where to find FJ4B01100L1
  • Panasonic Electronic Components

  • Panasonic Electronic Components FJ4B01100L1
  • FJ4B01100L1 PDF Datasheet
  • FJ4B01100L1 Stock

  • FJ4B01100L1 Pinout
  • Datasheet FJ4B01100L1
  • FJ4B01100L1 Supplier

  • Panasonic Electronic Components Distributor
  • FJ4B01100L1 Price
  • FJ4B01100L1 Distributor

FJ4B01100L1 Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds459pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)360mW (Ta)
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketXLGA004-W-0808-RA01
Paket / Fall4-XFLGA, CSP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDU8770

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3720pF @ 13V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

2N7002TQ-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

115mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Paket / Fall

SOT-523

STF5N105K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1050V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STB70NH03LT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ III

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

858W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHV™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

830W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

LTC6995IS6-1#TRMPBF

LTC6995IS6-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OSC SILICON PROG TSOT23-6

USBLC6-2SC6

USBLC6-2SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

SMCJ5.0CA

SMCJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V DO214AB

ADM3202ARNZ-REEL

ADM3202ARNZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

ILHB0805ER601V

ILHB0805ER601V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 600 OHM 0805 1LN

PMEG4010EH,115

PMEG4010EH,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123F

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

FIN1019MTCX

FIN1019MTCX

ON Semiconductor

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14TSSOP

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC PUSH BUTTON ON/OFF CTRLR 8DFN