FJB102TM
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| Teilenummer | FJB102TM |
| PNEDA Teilenummer | FJB102TM |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 35.586 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FJB102TM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FJB102TM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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FJB102TM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
| Leistung - max | 80W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D2Pak) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 500mA, 1V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
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