FP150R07N3E4B11BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | FP150R07N3E4B11BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | FP150R07N3E4B11BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FP150R07N3E4B11BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FP150R07N3E4B11BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
FP150R07N3E4B11BOSA1, FP150R07N3E4B11BOSA1 Datenblatt
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FP150R07N3E4B11BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Leistung - max | 430W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
