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FQB2N90TM

FQB2N90TM

Nur als Referenz

Teilenummer FQB2N90TM
PNEDA Teilenummer FQB2N90TM
Beschreibung MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
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FQB2N90TM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQB2N90TM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQB2N90TM, FQB2N90TM Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 759,73 KB)
PDFFQB2N90TM Datenblatt Cover
FQB2N90TM Datenblatt Seite 2 FQB2N90TM Datenblatt Seite 3 FQB2N90TM Datenblatt Seite 4 FQB2N90TM Datenblatt Seite 5 FQB2N90TM Datenblatt Seite 6 FQB2N90TM Datenblatt Seite 7 FQB2N90TM Datenblatt Seite 8 FQB2N90TM Datenblatt Seite 9

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FQB2N90TM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)900V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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NTS2101PT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 8V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

290mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

IRL540STRLPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

77mOhm @ 17A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R225C7ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

996pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQA14N30

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

SI4884BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1525pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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