Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQI7P06TU

FQI7P06TU

Nur als Referenz

Teilenummer FQI7P06TU
PNEDA Teilenummer FQI7P06TU
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.380
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 7 - Jun 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQI7P06TU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQI7P06TU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQI7P06TU, FQI7P06TU Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 662,27 KB)
PDFFQB7P06TM Datenblatt Cover
FQB7P06TM Datenblatt Seite 2 FQB7P06TM Datenblatt Seite 3 FQB7P06TM Datenblatt Seite 4 FQB7P06TM Datenblatt Seite 5 FQB7P06TM Datenblatt Seite 6 FQB7P06TM Datenblatt Seite 7 FQB7P06TM Datenblatt Seite 8 FQB7P06TM Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQI7P06TU Datasheet
  • where to find FQI7P06TU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQI7P06TU
  • FQI7P06TU PDF Datasheet
  • FQI7P06TU Stock

  • FQI7P06TU Pinout
  • Datasheet FQI7P06TU
  • FQI7P06TU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQI7P06TU Price
  • FQI7P06TU Distributor

FQI7P06TU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs410mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds295pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.75W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SSM3K344R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVII-H

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

153pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

IXTH98N20T

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

98A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXTH)

Paket / Fall

TO-247-3

STK820

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1425pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PolarPak®

Paket / Fall

PolarPak®

IPB60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 320µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

877pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

2SK3565(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

ADM2587EBRWZ

ADM2587EBRWZ

Analog Devices

DGTL ISO RS422/RS485 20SOIC

3296W-1-203LF

3296W-1-203LF

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.5W PC PIN TOP

NFM41PC155B1H3L

NFM41PC155B1H3L

Murata

CAP FEEDTHRU 1.5UF 20% 50V 1806

LTC3703EGN#TRPBF

LTC3703EGN#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 16SSOP

MAX999EUK+T

MAX999EUK+T

Maxim Integrated

IC COMP BEYOND-THE-RAILS SOT23-5

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

PCA9543APW,118

PCA9543APW,118

NXP

IC I2C SWITCH 2CH 14-TSSOP

MP2144GJ-Z

MP2144GJ-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJ 2A TSOT23-8

S29GL064N90DFI010

S29GL064N90DFI010

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 64FBGA

NC7SZ04P5X

NC7SZ04P5X

ON Semiconductor

IC INVERTER 1CH 1-INP SC70-5

PKGS-00LDP1-R

PKGS-00LDP1-R

Murata Electronics

SENSOR SHOCK 50G PIEZO FILM

CJS-1201TB1

CJS-1201TB1

Nidec Copal Electronics

SWITCH SLIDE SPDT 100MA 6V