Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQP5N60C

FQP5N60C

Nur als Referenz

Teilenummer FQP5N60C
PNEDA Teilenummer FQP5N60C
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 21.672
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQP5N60C Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQP5N60C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQP5N60C, FQP5N60C Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.038,46 KB)
PDFFQPF5N60CYDTU Datenblatt Cover
FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 2 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 3 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 4 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 5 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 6 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 7 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 8 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 9 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 10 FQPF5N60CYDTU Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • FQP5N60C Datasheet
  • where to find FQP5N60C
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQP5N60C
  • FQP5N60C PDF Datasheet
  • FQP5N60C Stock

  • FQP5N60C Pinout
  • Datasheet FQP5N60C
  • FQP5N60C Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQP5N60C Price
  • FQP5N60C Distributor

FQP5N60C Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds670pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)100W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SIB441EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-75-6L

NTMS5P02R2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.95A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

790mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRLR3705ZTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR9210TRR

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

170pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR4105ZTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

TNY290PG

TNY290PG

Power Integrations

IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP

BC184C

BC184C

ON Semiconductor

TRANS NPN 30V 0.5A TO-92

LTST-C150TBKT

LTST-C150TBKT

Lite-On Inc.

LED BLUE CLEAR 1206 SMD

FDS4435BZ

FDS4435BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

1PS76SB70,135

1PS76SB70,135

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323

0466.250NR

0466.250NR

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 250MA 125VAC/VDC

G5LE-14 DC12

G5LE-14 DC12

Omron Electronics Inc-EMC Div

RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V

PEX8734-AB80BI G

PEX8734-AB80BI G

Broadcom

PEX8734-AB80BI G

NTA4153NT1G

NTA4153NT1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416

EVQ-P7C01P

EVQ-P7C01P

Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN