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FQPF15P12

FQPF15P12

Nur als Referenz

Teilenummer FQPF15P12
PNEDA Teilenummer FQPF15P12
Beschreibung MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 22.872
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FQPF15P12 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFQPF15P12
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
FQPF15P12, FQPF15P12 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 954,63 KB)
PDFFQP15P12 Datenblatt Cover
FQP15P12 Datenblatt Seite 2 FQP15P12 Datenblatt Seite 3 FQP15P12 Datenblatt Seite 4 FQP15P12 Datenblatt Seite 5 FQP15P12 Datenblatt Seite 6 FQP15P12 Datenblatt Seite 7 FQP15P12 Datenblatt Seite 8 FQP15P12 Datenblatt Seite 9 FQP15P12 Datenblatt Seite 10 FQP15P12 Datenblatt Seite 11

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FQPF15P12 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieQFET®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)41W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTLJS2103PTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1157pF @ 6V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (2x2)

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

2SJ438,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

DMN3051LDM-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

424pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6

IPP600N25N3GXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

NTRV4101PT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

420mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Kürzlich verkauft

CP2105-F01-GM

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Silicon Labs

IC SGL USB-DL UART BRIDGE 24QFN

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Nuvoton Technology

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Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

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DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

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SENSOR PHOTODIODE 660NM TO46

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Microchip Technology

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP

WSL251200000ZEA9

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Vishay Dale

RES 0 OHM JUMPER 2512

MMSZ4V7T1G

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ON Semiconductor

DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123

BNX026H01L

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FILTER LC 10UF SMD

LPC2388FBD144,551

LPC2388FBD144,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 144LQFP