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FT24C16A-USR-T

FT24C16A-USR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C16A-USR-T
PNEDA Teilenummer FT24C16A-USR-T
Beschreibung IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 168.942
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C16A-USR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C16A-USR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C16A-USR-T, FT24C16A-USR-T Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 315,68 KB)
PDFFT24C04A-ETR-T Datenblatt Cover
FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 2 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 3 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 4 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 5 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 6 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 7 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 8 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 9 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 10 FT24C04A-ETR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C16A-USR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

2Mb (128K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (256 x 4)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

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-40°C ~ 85°C (TA)

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