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FT24C512A-ESR-T

FT24C512A-ESR-T

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C512A-ESR-T
PNEDA Teilenummer FT24C512A-ESR-T
Beschreibung IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.524
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 3 - Jun 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C512A-ESR-T Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C512A-ESR-T
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C512A-ESR-T, FT24C512A-ESR-T Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 472,42 KB)
PDFFT24C512A-ETR-B Datenblatt Cover
FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 2 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 3 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 4 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 5 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 6 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 7 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 8 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 9 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 10 FT24C512A-ETR-B Datenblatt Seite 11

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FT24C512A-ESR-T Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie*
Speichertyp-
Speicherformat-
Technologie-
Speichergröße-
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.6V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

VSON008X2030

MT49H16M18SJ-25:B

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TBGA

Lieferantengerätepaket

144-FBGA (18.5x11)

CY7C1020DV33-10VXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-SOJ

IS61C6416AL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MT46V64M16TG-75:A TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

750ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

66-TSOP

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