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FT24C64A-UDR-B

FT24C64A-UDR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C64A-UDR-B
PNEDA Teilenummer FT24C64A-UDR-B
Beschreibung IC EEPROM 64K I2C 800KHZ 8DIP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 4.878
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C64A-UDR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C64A-UDR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C64A-UDR-B, FT24C64A-UDR-B Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 316,02 KB)
PDFFT24C64A-UTG-T Datenblatt Cover
FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 2 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 3 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 4 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 5 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 6 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 7 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 8 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 9 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 10 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 11

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FT24C64A-UDR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz800kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit700ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

2Gb (256M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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