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FT25H04T-RB

FT25H04T-RB

Nur als Referenz

Teilenummer FT25H04T-RB
PNEDA Teilenummer FT25H04T-RB
Beschreibung IC FLASH 4M SPI 120MHZ 8TSSOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 860
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT25H04T-RB Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT25H04T-RB
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT25H04T-RB, FT25H04T-RB Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 494,45 KB)
PDFFT25H04S-RT Datenblatt Cover
FT25H04S-RT Datenblatt Seite 2 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 3 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 4 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 5 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 6 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 7 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 8 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 9 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 10 FT25H04S-RT Datenblatt Seite 11

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FT25H04T-RB Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz120MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIJ

CY7C1399B-12VC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

28-SOJ

TC58NVG2S0HBAI4

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

63-VFBGA

Lieferantengerätepaket

63-TFBGA (9x11)

S29GL01GS11TFA010

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

STK12C68-C35I

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

28-CDIP

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