GA100SCPL12-227E
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| Teilenummer | GA100SCPL12-227E |
| PNEDA Teilenummer | GA100SCPL12-227E |
| Beschreibung | SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GA100SCPL12-227E Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GA100SCPL12-227E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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GA100SCPL12-227E Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V Leistung - max 1.4W, 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
