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GA100SCPL12-227E

GA100SCPL12-227E

Nur als Referenz

Teilenummer GA100SCPL12-227E
PNEDA Teilenummer GA100SCPL12-227E
Beschreibung SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GA100SCPL12-227E Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGA100SCPL12-227E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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GA100SCPL12-227E Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
FET-Typ-
FET-Funktion-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 5.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7902TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A, 9.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 15V

Leistung - max

1.4W, 2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

VQ1001P

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

830mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75Ohm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

14-DIP

DMN2040LTS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 10V

Leistung - max

890mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Kürzlich verkauft

BCM59111KMLG

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QUAD IEEE802.3AT PSE CONTROLLER

DLW5BTN501SQ2L

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Murata

CMC 4A 2LN 500 OHM SMD

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

NE5534AN

NE5534AN

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

EP53A8HQI

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DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 3W

MF-USMF050-2

MF-USMF050-2

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PTC RESET FUSE 13.2V 500MA 1210

2N7002-7-F

2N7002-7-F

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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

SMBJ30A

SMBJ30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

UES1302

UES1302

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DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

7A-8.000MAAE-T

7A-8.000MAAE-T

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CRYSTAL 8.0000MHZ 12PF SMD

BF862,215

BF862,215

NXP

JFET N-CH 20V 25MA SOT23