GA200SA60U
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| Teilenummer | GA200SA60U |
| PNEDA Teilenummer | GA200SA60U |
| Beschreibung | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.230 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GA200SA60U Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GA200SA60U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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GA200SA60U Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Leistung - max | 500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 16.5nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 96A Leistung - max 378W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7.43nF @ 30V Eingabe Single Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 12-MTP Module Lieferantengerätepaket MTP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Leistung - max 65W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 830pF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.58nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK |
