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GD25LQ20CEIGR

GD25LQ20CEIGR

Nur als Referenz

Teilenummer GD25LQ20CEIGR
PNEDA Teilenummer GD25LQ20CEIGR
Beschreibung NOR FLASH
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
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Auf Lager 27.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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GD25LQ20CEIGR Ressourcen

Marke GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGD25LQ20CEIGR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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GD25LQ20CEIGR Technische Daten

HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße2Mb (256K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz104MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite50µs, 2.4ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.1V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-XFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-USON (2x3)

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

84-TFBGA

Lieferantengerätepaket

84-TFBGA (8x12.5)

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Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1370DV25-200BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

MT41K64M16TW-107 IT:J

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (8x14)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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