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GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Nur als Referenz

Teilenummer GPA030A135MN-FDR
PNEDA Teilenummer GPA030A135MN-FDR
Beschreibung IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GPA030A135MN-FDR Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGPA030A135MN-FDR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GPA030A135MN-FDR, GPA030A135MN-FDR Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 450,94 KB)
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GPA030A135MN-FDR Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1350V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
Leistung - max329W
Schaltenergie4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge300nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/145ns
Testbedingung600V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)450ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

375W

Schaltenergie

760µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

APT95GR65JDU60

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 95A

Leistung - max

446W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/226ns

Testbedingung

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

APT40GR120B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/163ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT85GR120L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Leistung - max

962W

Schaltenergie

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

660nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/300ns

Testbedingung

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

STGP6M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

88W

Schaltenergie

40µJ (on), 136µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

21.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/86ns

Testbedingung

400V, 6A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

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IC OSC SILICON PROG TSOT23-6

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TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

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MF-R090

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DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123F

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

FIN1019MTCX

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BLM15AG221SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

LTC2950IDDB-1#TRMPBF

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