GSID100A120T2C1
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| Teilenummer | GSID100A120T2C1 |
| PNEDA Teilenummer | GSID100A120T2C1 |
| Beschreibung | SILICON IGBT MODULES |
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.214 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GSID100A120T2C1 Ressourcen
| Marke | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GSID100A120T2C1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
GSID100A120T2C1, GSID100A120T2C1 Datenblatt
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GSID100A120T2C1 Technische Daten
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Serie | Amp+™ |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200A |
| Leistung - max | 640W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 13.7nF @ 25V |
| Eingabe | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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