H11A1SR2VM
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| Teilenummer | H11A1SR2VM |
| PNEDA Teilenummer | H11A1SR2VM |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD |
| Stückpreis |
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| Lager | USA, Europe, China, Hong Kong SAR |
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H11A1SR2VM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| Mfr. Artikelnummer | H11A1SR2VM |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
H11A1SR2VM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 50% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 2µs, 2µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.18V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 4170Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 10% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 2µs, 2µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal - Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.18V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 500mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 6-SMD |
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