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H11AA3VM

H11AA3VM

Nur als Referenz

Teilenummer H11AA3VM
PNEDA Teilenummer H11AA3VM
Beschreibung OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.698
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

H11AA3VM Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerH11AA3VM
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
H11AA3VM, H11AA3VM Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 401,61 KB)
PDFH11AA4TM Datenblatt Cover
H11AA4TM Datenblatt Seite 2 H11AA4TM Datenblatt Seite 3 H11AA4TM Datenblatt Seite 4 H11AA4TM Datenblatt Seite 5 H11AA4TM Datenblatt Seite 6 H11AA4TM Datenblatt Seite 7 H11AA4TM Datenblatt Seite 8 H11AA4TM Datenblatt Seite 9 H11AA4TM Datenblatt Seite 10 H11AA4TM Datenblatt Seite 11

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H11AA3VM Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation7500Vpk
Stromübertragungsverhältnis (min)50% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypAC, DC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.17V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)400mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

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Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

30mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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Hersteller

CEL

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

100µs, 100µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.17V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

6µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 4.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.43V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

MOC8103SD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

108% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

173% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

100% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

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