H11B2
Nur als Referenz
| Teilenummer | H11B2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | H11B2_6B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 6.863 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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H11B2 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11B2 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11B2 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 200% @ 1mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 25µs, 18µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 25V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 100mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 10mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 200% @ 10mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.5V (Max) Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
