H11D3SM
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| Teilenummer | H11D3SM |
| PNEDA Teilenummer | H11D3SM |
| Beschreibung | OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 16.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11D3SM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11D3SM |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11D3SM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 4170Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 20% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 5µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 200V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.15V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 80mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 16mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 800ns, 800ns (Max) Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 20V Strom - Ausgang / Kanal 8mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.65V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Vce-Sättigung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) Lieferantengerätepaket 6-SDIP Gull Wing |
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