HAT2038RWS-E
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| Teilenummer | HAT2038RWS-E |
| PNEDA Teilenummer | HAT2038RWS-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH SOP8 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.132 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 23 - Jun 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HAT2038RWS-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HAT2038RWS-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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HAT2038RWS-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Leistung - max | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V Leistung - max 600mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
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