HAT2267H-EL-E
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| Teilenummer | HAT2267H-EL-E |
| PNEDA Teilenummer | HAT2267H-EL-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.974 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HAT2267H-EL-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HAT2267H-EL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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HAT2267H-EL-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 25A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 12.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
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Hersteller Serie NexFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7930pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DDPAK/TO-263-3 Paket / Fall TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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