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HERAF801G C0G

HERAF801G C0G

Nur als Referenz

Teilenummer HERAF801G C0G
PNEDA Teilenummer HERAF801G-C0G
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 8A ITO220AC
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 19 - Jul 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HERAF801G C0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHERAF801G C0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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HERAF801G C0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.80pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2 Full Pack
LieferantengerätepaketITO-220AC
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

1ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

SK56C M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS5P4-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

280pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-SD1100C22C

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2200V

Current - Average Rectified (Io)

1100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.44V @ 1500A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

B-43, Hockey PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

MBR20100FCTE3/TU

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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