Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Nur als Referenz

Teilenummer HGT1S14N36G3VLT
PNEDA Teilenummer HGT1S14N36G3VLT
Beschreibung IGBT 390V 18A 100W TO262AA
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.092
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGT1S14N36G3VLT Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGT1S14N36G3VLT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGT1S14N36G3VLT, HGT1S14N36G3VLT Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 224,09 KB)
PDFHGT1S14N36G3VLT Datenblatt Cover
HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 2 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 3 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 4 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 5 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 6 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 7 HGT1S14N36G3VLT Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HGT1S14N36G3VLT Datasheet
  • where to find HGT1S14N36G3VLT
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HGT1S14N36G3VLT
  • HGT1S14N36G3VLT PDF Datasheet
  • HGT1S14N36G3VLT Stock

  • HGT1S14N36G3VLT Pinout
  • Datasheet HGT1S14N36G3VLT
  • HGT1S14N36G3VLT Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HGT1S14N36G3VLT Price
  • HGT1S14N36G3VLT Distributor

HGT1S14N36G3VLT Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 5V, 14A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/7µs
Testbedingung300V, 7A, 25Ohm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXBF9N160G

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Leistung - max

70W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

IRG4RC10STR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

140µJ (on), 2.58mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/630ns

Testbedingung

480V, 8A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

FGH30S150P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

369nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/492ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXSH45N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 45A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

21mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

960V, 45A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

IRGP4266PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

450W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Kürzlich verkauft

A2557SLBTR-T

A2557SLBTR-T

Allegro MicroSystems, LLC

IC DRIVER QUAD 60V 300MA 16SOIC

TLP290(GR-TP,SE

TLP290(GR-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

VS-30BQ060TRPBF

VS-30BQ060TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC

AT-32033-TR1G

AT-32033-TR1G

Broadcom

RF TRANS NPN 5.5V SOT23

74LVX14MTCX

74LVX14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

AD8250ARMZ

AD8250ARMZ

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

MX25V1635FZNI

MX25V1635FZNI

Macronix

IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON

ECS-327SMO-TR

ECS-327SMO-TR

ECS

XTAL OSC XO 32.7680KHZ CMOS SMD

CDBK0540

CDBK0540

Comchip Technology

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F

MC68HC908GP32CFB

MC68HC908GP32CFB

NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

ISL62882CHRTZ

ISL62882CHRTZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 40TQFN

SLA7026M

SLA7026M

Sanken

IC MTR DRV UNIPOLAR 10-44V 18ZIP