Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Nur als Referenz

Teilenummer HGT1S7N60C3DS
PNEDA Teilenummer HGT1S7N60C3DS
Beschreibung IGBT 600V 14A 60W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.204
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGT1S7N60C3DS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGT1S7N60C3DS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGT1S7N60C3DS, HGT1S7N60C3DS Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 557,88 KB)
PDFHGTP7N60C3D Datenblatt Cover
HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 2 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 3 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 4 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 5 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 6 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 7 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 8 HGTP7N60C3D Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HGT1S7N60C3DS Datasheet
  • where to find HGT1S7N60C3DS
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HGT1S7N60C3DS
  • HGT1S7N60C3DS PDF Datasheet
  • HGT1S7N60C3DS Stock

  • HGT1S7N60C3DS Pinout
  • Datasheet HGT1S7N60C3DS
  • HGT1S7N60C3DS Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HGT1S7N60C3DS Price
  • HGT1S7N60C3DS Distributor

HGT1S7N60C3DS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
Leistung - max60W
Schaltenergie165µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung480V, 7A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37ns
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGP20N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

RJH65T14DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/125ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

SGS5N150UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

190µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/30ns

Testbedingung

600V, 5A, 10Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

IRGI4061DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.59V @ 15V, 11A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

52µJ (on), 231µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/111ns

Testbedingung

400V, 11A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 256KB FLASH 100QFP

LQW2BHN22NJ03L

LQW2BHN22NJ03L

Murata

FIXED IND 22NH 720MA 90 MOHM SMD

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

MAX333AEWP

MAX333AEWP

Maxim Integrated

IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC

WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

Vishay Dale

RES 0.002 OHM 1% 1W 2512

SSM3J328R,LF

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

NC7WZ07P6X

NC7WZ07P6X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

BT137S-600D,118

BT137S-600D,118

WeEn Semiconductors

TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

RB496EATR

RB496EATR

Rohm Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TSMD5

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN