HGTD3N60C3S9A
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| Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
| PNEDA Teilenummer | HGTD3N60C3S9A |
| Beschreibung | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 11 - Jul 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGTD3N60C3S9A Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTD3N60C3S9A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTD3N60C3S9A Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 24A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 33W |
| Schaltenergie | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 10.8nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | 480V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
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