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HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG12N60B3
PNEDA Teilenummer HGTG12N60B3
Beschreibung IGBT 600V 27A 104W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.500
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HGTG12N60B3 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG12N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGTG12N60B3, HGTG12N60B3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 198,54 KB)
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HGTG12N60B3 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)27A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
Leistung - max104W
Schaltenergie150µJ (on), 250µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge51nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/150ns
Testbedingung480V, 12A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRGB4059DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

35µJ (on), 75µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/65ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 60A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/600ns

Testbedingung

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

4.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/350ns

Testbedingung

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

SGL50N60RUFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/66ns

Testbedingung

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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CAP TANT 47UF 10% 35V 2917