HGTP7N60A4
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| Teilenummer | HGTP7N60A4 |
| PNEDA Teilenummer | HGTP7N60A4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 34A 125W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 19.140 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP7N60A4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP7N60A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP7N60A4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 34A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 56A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 37nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 11ns/100ns |
| Testbedingung | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 100W Schaltenergie 430µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/180ns Testbedingung 480V, 10A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
