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HIP2100IR4ZT

HIP2100IR4ZT

Nur als Referenz

Teilenummer HIP2100IR4ZT
PNEDA Teilenummer HIP2100IR4ZT
Beschreibung IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HIP2100IR4ZT Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHIP2100IR4ZT
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
HIP2100IR4ZT, HIP2100IR4ZT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 742,81 KB)
PDFHIP2100IRT Datenblatt Cover
HIP2100IRT Datenblatt Seite 2 HIP2100IRT Datenblatt Seite 3 HIP2100IRT Datenblatt Seite 4 HIP2100IRT Datenblatt Seite 5 HIP2100IRT Datenblatt Seite 6 HIP2100IRT Datenblatt Seite 7 HIP2100IRT Datenblatt Seite 8 HIP2100IRT Datenblatt Seite 9 HIP2100IRT Datenblatt Seite 10 HIP2100IRT Datenblatt Seite 11

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HIP2100IR4ZT Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH4V, 7V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)10ns, 10ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall12-VFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket12-DFN (4x4)

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Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 28V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MIC4423ZWM-TR

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

28ns, 32ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

6EDL04I06PTXUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EiceDriver™

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

13V ~ 17.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.1V, 1.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

60ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-28

IR25604STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IR21362

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

11.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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