HIP6602BCRZ-T
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| Teilenummer | HIP6602BCRZ-T |
| PNEDA Teilenummer | HIP6602BCRZ-T |
| Beschreibung | IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.562 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HIP6602BCRZ-T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HIP6602BCRZ-T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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HIP6602BCRZ-T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 10.8V ~ 13.2V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 15V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 20ns, 20ns |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN-EP (5x5) |
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Hersteller Maxim Integrated Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4V ~ 12.6V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.3A, 7.6A Eingabetyp Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 82ns, 12.5ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-TDFN-EP (3x3) |
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