HMA121BR4V
Nur als Referenz
| Teilenummer | HMA121BR4V |
| PNEDA Teilenummer | HMA121BR4V |
| Beschreibung | OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.070 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 12 - Mai 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HMA121BR4V Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HMA121BR4V |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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HMA121BR4V Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 3750Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 50% @ 5mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 150% @ 5mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 3µs, 3µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 80mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V (Max) |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 50mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 400mV |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 4-SMD |
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Hersteller Sharp Microelectronics Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 600% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 7500% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 60µs, 53µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 35V Strom - Ausgang / Kanal 80mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 100% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp AC, DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads Lieferantengerätepaket 6-MFSOP, 5 Lead |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 1000% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 50µs, 15µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40µs, 15µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 300V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO |
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