HN4K03JUTE85LF
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| Teilenummer | HN4K03JUTE85LF |
| PNEDA Teilenummer | HN4K03JUTE85LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HN4K03JUTE85LF Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HN4K03JUTE85LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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HN4K03JUTE85LF Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8.5pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 200mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | USV |
| Paket / Fall | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1228pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
