HUF75637S3ST
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| Teilenummer | HUF75637S3ST |
| PNEDA Teilenummer | HUF75637S3ST |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.222 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HUF75637S3ST Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HUF75637S3ST |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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HUF75637S3ST Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 44A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 44A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 155W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-1 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 350mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 108µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 108pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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