HUFA76407D3
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| Teilenummer | HUFA76407D3 |
| PNEDA Teilenummer | HUFA76407D3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.892 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HUFA76407D3 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HUFA76407D3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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HUFA76407D3 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVI FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-UDFNB (2x2) Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad |
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