IDP15E65D1XKSA1
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| Teilenummer | IDP15E65D1XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IDP15E65D1XKSA1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.704 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDP15E65D1XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDP15E65D1XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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IDP15E65D1XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 15A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 114ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 40µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 175°C |
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Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
