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IDT6116LA35TPG

IDT6116LA35TPG

Nur als Referenz

Teilenummer IDT6116LA35TPG
PNEDA Teilenummer IDT6116LA35TPG
Beschreibung IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 6.678
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT6116LA35TPG Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT6116LA35TPG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT6116LA35TPG, IDT6116LA35TPG Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 111,49 KB)
PDFIDT6116SA45TPG Datenblatt Cover
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IDT6116LA35TPG Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Asynchronous
Speichergröße16Kb (2K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite35ns
Zugriffszeit35ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall24-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket24-PDIP

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Speichertyp

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Taktfrequenz

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Zugriffszeit

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Montagetyp

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Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT25SF041-SHD-B

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5µs, 2.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

70261L25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

256Kb (16K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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