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IDT71T75602S200PFG

IDT71T75602S200PFG

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71T75602S200PFG
PNEDA Teilenummer IDT71T75602S200PFG
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71T75602S200PFG Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71T75602S200PFG
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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IDT71T75602S200PFG Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße18Mb (512K x 36)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.2ns
Spannung - Versorgung2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

9ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

128-TQFP (14x20)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

18Mb (256K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

324-BGA

Lieferantengerätepaket

324-PBGA (19x19)

MT46V32M8FG-6 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-FBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (8x14)

PC28F128J3F75B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

75ns

Zugriffszeit

75ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

64-EasyBGA (10x13)

NM27C256N150

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

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