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IDT71V2548S150PF8

IDT71V2548S150PF8

Nur als Referenz

Teilenummer IDT71V2548S150PF8
PNEDA Teilenummer IDT71V2548S150PF8
Beschreibung IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
Hersteller IDT, Integrated Device Technology
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IDT71V2548S150PF8 Ressourcen

Marke IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIDT71V2548S150PF8
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
IDT71V2548S150PF8, IDT71V2548S150PF8 Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 512,66 KB)
PDFIDT71V2548S150PF8 Datenblatt Cover
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IDT71V2548S150PF8 Technische Daten

HerstellerIDT, Integrated Device Technology Inc
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße4.5Mb (256K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit3.8ns
Spannung - Versorgung3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall100-LQFP
Lieferantengerätepaket100-TQFP (14x14)

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Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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Hersteller

Micron Technology Inc.

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

64Gb (1G x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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5-WLCSP

MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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EDBA232B2PF-1D-F-D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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