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IGB15N60TATMA1

IGB15N60TATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGB15N60TATMA1
PNEDA Teilenummer IGB15N60TATMA1
Beschreibung IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGB15N60TATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGB15N60TATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGB15N60TATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 15A
Leistung - max130W
Schaltenergie570µJ
EingabetypStandard
Gate Charge87nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/188ns
Testbedingung400V, 15A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketPG-TO263-3-2

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

14A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 3A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

590µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/220ns

Testbedingung

850V, 6A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

APT36GA60BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

307µJ (on), 254µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IGP50N60TXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

2.6mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

IRG7CH75K10EF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

2.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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